Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD031N03M G
IPD031N03M G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD031N03M G

Номер детали производителя IPD031N03M G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 4241 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideIPD031N03L G, IPS031N03L G
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4241 Infineon Technologies IPD031N03M G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5300 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Tc)
Базовый номер продукта IPD031N

Рекомендуемые продукты

IPD031N03M G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPD031N03M G

Связанные детали для IPD031N03M G